对工作台转移速度和精度有非常高的要求。
华国工程师从磁悬浮技术得到启示，利用华国在永磁体领域的领先，正在全力开发磁悬浮工作台，目前实验研究已经有了不小的突破，实验发现精度确实有了不小的提高。
现在有了193nmarf光源，有了浸没式光学镜头，又有了双工作台的突破，专家们经过研究认为根本没有必要再跟着西方的技术路线亦步亦趋，欧派微芯完全可以直接攻关0.1微米左右线程的浸没式光刻机。
因为使用 193nmarf光源的浸没式光刻机，波长直接缩短为134nm，这样新型光刻机可以直接从0.1nm左右线程起步，再通过光学邻近效应矫正等技术后，其极限光刻工艺节点甚至可达 28nm。
要知道在1997年，此时主流的光刻机线程也不过0.25微米，采用的还是krf248 nm光源。而倭国正在研发的193nm乾式光刻机线程也仅仅是0.18微米，下一步才是0.13微米，90nm。
也就是说采用另外一条技术路线的华国人有3到5年的宝贵追赶时间，有这个时间应该有机会取得突破。
只要这款光刻机被攻克，华国就很可能实现弯道超车，为此赌