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那么,在谭振华前世的1986年,华夏的半导体行业到底发生了什么
其实真的没有发生什么惊天动地的大事,如果一定要探究一下的话,那么只有这几件事是值得记录的
1986年5月,电子部4742厂试制成功华夏第一片64kdr,集成度为15万个元件,加工工艺为3微米,相比世界第一家制成相同产品的倭国nec晚了6年;
同年8月,华夏集成电路设计中心在京城成立,这标志着华夏集成电路设计业发展的开端。
在这一年,电子部还召开了“七五”集成电路发展战略研讨会,提出了“七五”期间关于集成电路技术的“531”发展战略,即普及推广5微米技术,重点企业形成3微米技术生产能力,进行115微米技术科技攻关。
在这一年的10月,南高丽政府开始执行“vsi共同开发技术计划”,由政府出资,南高丽电子通信研究所牵头,联合三星、g、现代三大集团以及南高丽六所大学,联合攻关dr的核心技术。随后三年内,该计划共投入11亿美元,其中政府承担57的研发经费。
看起来,与前些年的形势并没有什么不同。
再认