59年9月15日，“601试验所”后发展为电子部第4046研究所成功拉出华夏首颗硅单晶，使华夏成为继米国、苏俄之后，第三个可以自己拉制硅单晶的国家；还是在这一年，华夏首次用四氯化硅氢还原法制成了纯度高达999999999，史称“九个九”的高纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。
1962年，米国制成了全球第一支半导体激光器；华夏拉制出砷化镓gs单晶，为研究制备化合物半导体器件建立了基础，也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩；还是在这一年，华夏研究制成硅外延工艺，并开始采用照相制版、光刻工艺。
1963年，华夏研制成功第一支半导体激光器，是全球第二个具备这种能力的国家仅仅比米国晚了一年。
1965年，华夏研制成功第一个硅基集成电路样品31，这块芯片上集成了7个晶体管、1个二极管、7个电阻、6个电容，相比米国晚7年。
1966年，109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功第一台65型接触式光刻机，这与米国的gc公司几乎同时。
也在这一年，ib公司托马斯沃森研究中心的研究人员，时年34岁的罗伯特登纳德博士提出了用金属氧化物半