片製造工艺已经达到了05微米，然后tel公司两年一代，05微米， 025微米， 018微米，到了2001年已经实现了01微米工艺的量产。
考虑到晶片工厂长达两年的建设周期，向华国这样的追赶者简直无所适从，基本上晶片生产线还在建设中，就已经落后于主流标準了。
但是存储器却不一样，存储器的製造工艺要落后于处理器，8英寸，05微米製程生产线只要建成，到90年代末都不算落后，这样就有可能收回成本。
而据孙祖杰所知，中芯国际新世纪初建设的类似的生产线经过改造升级之后照样赚钱赢利了，所以从这个角度上，这样的生产线建设越早越赚钱。
当然赚钱倒是其次，最重要的是如果製程工艺达到了05微米的标準，华国在模拟晶片和功率元件的製造上的差距就没有巨大了。
这样孙祖杰就可以相当宽鬆的在这两个领域加大追赶的力度，同时还在dra领域给三星添一些麻烦，打压他们的发展速度。
再考虑到2002年前后传统的乾式光刻机遇到了困难，而当初浸入式光刻机推广的困难让孙祖杰觉得在晶片製程领域追赶上主流水平或者只差距一代，并不是没有可能。